...поправте если я не совсем правильно понимаю ИК нагрев.
Поправлю:
1. Любое нагретое тело излучает лучистую энергию (безразлично, каким способом его нагревать). Для нас это керамика, кварцевая трубка, спираль;
2. Тело, попавшее под излучение – поглощает лучистую энергию и нагревается (в нашем случае плата);
3. Температура и скорость нагревания платы зависит от интенсивности облучения, способностью материала к поглощению лучистой энергии и расстояния от излучателя до платы.
4. Интенсивность излучения вычисляется по закону Стефана-Больцмана для "серого тела" (см. вложение).
Из этого закона видно, что интенсивность излучения больше всего зависит от температуры разогретого тела (температура в четвертой степени). В тоже время, чем больше температура, тем короче длинна волны излучения. Коротковолновое излучение плохо проникает вглубь материала платы, что приводит к поверхностному нагреву и "пузырению". Чтобы избежать коротковолнового ИК излучения и смещения спектра в средневолновое ИК излучение, мы вынуждены уменьшать температуру излучателя (отсюда и взялась температура излучателя 350…400*С). Уменьшив температуру излучателя, мы пожертвовали интенсивностью излучения. Для получения необходимой температуры, интенсивности излучения и скорости нагревания платы на расстоянии 30…35мм, нам нужно подвести к нагревателю удельную мощность 2,5…3Вт\кв.см
Примерно так.
Krievs
Поправлю:
1. Любое нагретое тело излучает лучистую энергию (безразлично, каким способом его нагревать). Для нас это керамика, кварцевая трубка, спираль;
2. Тело, попавшее под излучение – поглощает лучистую энергию и нагревается (в нашем случае плата);
3. Температура и скорость нагревания платы зависит от интенсивности облучения, способностью материала к поглощению лучистой энергии и расстояния от излучателя до платы.
4. Интенсивность излучения вычисляется по закону Стефана-Больцмана для "серого тела" (см. вложение).
Из этого закона видно, что интенсивность излучения больше всего зависит от температуры разогретого тела (температура в четвертой степени). В тоже время, чем больше температура, тем короче длинна волны излучения. Коротковолновое излучение плохо проникает вглубь материала платы, что приводит к поверхностному нагреву и "пузырению". Чтобы избежать коротковолнового ИК излучения и смещения спектра в средневолновое ИК излучение, мы вынуждены уменьшать температуру излучателя (отсюда и взялась температура излучателя 350…400*С). Уменьшив температуру излучателя, мы пожертвовали интенсивностью излучения. Для получения необходимой температуры, интенсивности излучения и скорости нагревания платы на расстоянии 30…35мм, нам нужно подвести к нагревателю удельную мощность 2,5…3Вт\кв.см
Примерно так.