Кстати, вот что заметил.
При первичной пропайке ГПУ (впрочем как и памяти), чтобы добится плавания чипа, приходится греть существенно дольше, чем при последующих .
Думаю, что обусловлено окислением слоя припоя, контактирующего с воздухом. А тем-ра расплавления окисла существенно выше, чем у припоя.
Так же замечено, что при пропайке ГПУ необходимо чип энергично (но без фанатизма) подвигать-покачать.
Простая пропайка с лёгким покачиванием часто не даёт желаемого эффекта. Зато последующая, с энергичным покачиванием чипа, приводит к положительному результату.
Вероятно, механически разрушается слой окисла, который, хоть и расплавляется, но всёравно покрывает припой снаружи. Но это я уже писал выше.
Всётаки лучше реболить. А ещё лучше ставить новый
Кстати, вот что заметил.
При первичной пропайке ГПУ (впрочем как и памяти), чтобы добится плавания чипа, приходится греть существенно дольше, чем при последующих .
Думаю, что обусловлено окислением слоя припоя, контактирующего с воздухом. А тем-ра расплавления окисла существенно выше, чем у припоя.
Так же замечено, что при пропайке ГПУ необходимо чип энергично (но без фанатизма) подвигать-покачать.
Простая пропайка с лёгким покачиванием часто не даёт желаемого эффекта. Зато последующая, с энергичным покачиванием чипа, приводит к положительному результату.
Вероятно, механически разрушается слой окисла, который, хоть и расплавляется, но всёравно покрывает припой снаружи. Но это я уже писал выше.
Всётаки лучше реболить. А ещё лучше ставить новый