Ремонт БП от компьютеров для новичков

Добрый день!
snAke666, хочу вас поблагодарить за эту инфу. Мне она очень пригодилась. До этого была какая-то каша в голове, что-то знаю, что-то не знаю, вы действительно описали все на доступном языке.
Ромбовод пишет, что у меня нет желания учиться и что необходимо читать читать. Желание у меня есть, одну только схему нарисовать у меня ушло около 5-6 часов. Я каждый день читаю что-то новое, и прочитал ни одну статью, но очень сложно найти то, где описано все простым языком, как объясняет snAke666.

И естественно, что я как и любой другой начинающий буду писать ржачные для вас вещи. Вы сами себя вспомните... Возможно вы сейчас скажете, да ты что, я закончил три ВУЗа с красными дипломами и я не спрашивал всякую ересь. Есть умное изречение: "тот кто спрашивает глупец всего 5 минут, а тот кто молчит глупец всю свою жизнь". И поэтому извините конечно, но я буду задавать "глупые" вопросы, и возможно кто-нибудь такие же как я, читая мои и ваши комментарии, чему-нибудь научаться.
А сейчас глупые вопросы:

как выяснилось после емкости C7 у нас положительное напряжение (прямая линия), а импульсы подаваемые на первичную обмотку трансформатора Т1, формирует ключ Q1 (ширина импульса зависит от время открытого ключа). Может конечно я опять пишу неверно, и импульсы формирует ШИМ, поэтому извиняйте если что. Тогда во вторичной обмотки будут получаться положительные и отрицательные импульсы?
Почему D7 состоит из двух диодов? Для того чтобы получаемое напряжение было прямой линией, а ни со спадами (получается что пунктирная линия)? Если так, то почему вместо D6 не поставить такой же диод, как и D7 и тогда можно было бы убрать С4, который нужен для питания микросхемы в случае отсутствия импульса?
И все таких хотел узнать, чем полевой транзистор отличается от биполярного? В полевом транзисторе есть гальваническая развязка и затвор сток и исток отделены друг от друга. Это его преимущество перед биполярным. Почему тогда вообще существуют биполярные, если полевой лучше? Можно ли в этой схеме применить биполярный транзистор вместо полевого?

Не верно. Ключ не подает импульсы на первичную обмотку, на первичной обмотке постоянное напряжение 310В, ключ позволяет протекать току через обмотку, когда он открыт. Вы принцип действия транзисторов знаете? В двух словах опишу, но про это тоже можно почитать в инете, инфы море.

Рассмотрим полевой транзистор не вдаваясь в подробности (при желании можете изучить) на примере NPN транзистора:
У транзистора три контакта: сток, исток, затвор. Он имеет два состояния - открыт/закрыт. В открытом состоянии транзистор пропускает через себя ток от стока к истоку, в закрытом состоянии ток через транзистор от стока к истоку не протекает. Открытие/закрытие транзистора происходит через подачу напряжения на его затвор. Для NPN транзистора при подаче напряжения он открывается, если напряжение убрать, то закрывается.

Теперь посмотрите на схему. Из нее видно, когда транзистор открыт, то первичная обмотка замыкается на землю и через нее начинает течь ток, при закрытом транзисторе, ток через обмотку не течет.
Так что вернее сказать, что ключ формирует в первичной обмотке пульсирующий ток (как поправил maco, со всеми вытекающими последствиями, как то, возникновение переменного магнитного поля и импульсов на вторичных обмотках.

На самом деле да, импульсы формирует шим с использованием ключа Q1. Шим подает управляющее напряжение на затвор транзистора и тот переключает свое состояние.

Именно так.

Если представить D7 в виде одного диода, то за ним напряжение будет все равно постоянным. Вопрос стоит в том, какой ток может диод через себя пропустить. В Вашей схеме используется сборка с двумя диодами, которые пропускают ток параллельно друг другу, т.е. на каждый приходится половинная нагрузка, из этого следует, что: 1. можно подключить к блоку питания нагрузку с потреблением тока в два раза большим, по сравнению со схемой с одним диодом с аналогичными характеристиками по току, диодная сборка будет греться меньше, чем один диод.

Микросхема потребляет малый ток, поэтому можно обойтись одним диодом. Конструкторы экономят где только можно, чтобы удешевить себестоимость БП, и где надо, и где не надо. Поэтому мастера частенько дорабатывают БП, заменяя детальки на более хорошие по характеристикам, так что БП после работают долго и счастливо.
С4 нужен обязательно, он же выполняет и роль фильтра.

Ох чую и насмешите Вы мастеров. Но на это не надо обижаться. Когда разберетесь во всем, перечитаете свои прошлые посты и сами же будете над собой ржать. Я так иногда делаю. Читаешь старые сообщения и понимаешь какой бред нес. Но все относительно. И сейчас для кого-то я несу такой же бред, кто понимает какие-то вещи более глубоко. Так что...

Откройте статьи в интернете о транзисторах, внимательно прочтите и Вы поймете в чем отличие.

Полевые и биполярные транзисторы можно иногда заменять друг другом, но все зависит от конкретной цепи, где стоит транзистор и возложенных на него задачь.

Только что говорили о правильности формулировок. Хотя можно было и не тратить зря время, судя по цитатам.

Вот и доигрались словами. В следующий раз за такое я буду выносить предупреждение.


В MOSFET'ах гальванически отделен только затвор, да и то во многих современных MOSFET'ах этой развязки фактически нет. В JFET'ах все гальванически связано. Гальваническая развязка никогда не являлась преимуществом полевых транзисторов, во многих случаях это было проблемой.

Опасно.

В чем не точность? В первичной обмотке? В постоянном напряжении? Или 310В?

А тут что не так? Не вдаваясь в подробности?

Если снять осциллограмму напряжения или тока на одном из контактов вторичной обмотки разве будет не чередование отрицательных и положительных импульсов? Или дело в термине "импульс"?

Кстати, если схватил предупреждение, как потом амнистироваться или реабилитироваться?

мде... винегрет-шоу... в смысле по прочтении в башке должен сформироваться конкретный винегрет... может стоит порекомендовать довольно простое чтиво? Ну вот например "классика жанра" Книга Д.П. Кучерова: Источники питания ПК и периферии. 4-е издание чем не угодила?
Да вот вам полка с книжками, швыряйтесь... все трое)))))))

Bishop , благодарю за наводку на книженции.

Так автор темы прочел книжку то не плохую из азбуки, вот только малость не понял. Попытался разжевать кухонным языком, да плюс сам еще может чего не до понимаю, по мне вроде все понятно излагаю, а для Вас винегрет. Наверное из-за того, что теория перемешалась с ответами на конкретные вопросы автора, последовательности и красивости ясное дело не получится. И автору темы вроде нравится такое повествование.

snAke666, придерживайтесь общепринятых формулировок - N-канальный, но не NPN, P-канальный, но не PNP. NPN и PNP типы проводимости биполярных транзисторов.

Если нет изоляционного слоя, то это уже пожалуй не MOS.

MOSFET - Metal-Oxyde Field Effect Transistor
Тогда причем тут MOS? правильнее уж FET - собственно, затвор управляемый напряжением (полем, точнее) в полевом транзисторе, а в биполярном - p-n (n-p) переход база-эмиттер, управляемый током через него - вот и основное отличие. Остальное для новичка не так важно (ИМХО).

ЗЫ. Есть еще IGBT-транзисторы - это гибрид биполярных с полевыми - биполярный транзистор с изолированным затвором. Сочетает преимущества обоих типов транзисторов. Мощная удобная штука. Используются, например, в модулях зажигания инжекторных автомобилей.

Я в общем-то придираюсь, но формулировка, мягко говоря, ошибочная. Знающему человеку понятно, что имелся в виду подтягивающий резистор, а не очень знающий так и проглотит .


В наличии на первичной обмотке постоянного напряжения 310 В.

О npn уже отмечено. Да и по открытию/закрытию транзистора и протеканию тока в закрытом состоянии можно привести несколько забавных примеров (один из них).

Дык догадайтесь по flyback что-нибудь почитать .

Хорошо себя вести неопределенно долгое время.


Изоляционный слой-то между затвором и всем остальным есть, но никто не мешает подключить между затвором и истоком защитные цепи - в документации иногда явно нарисовано, иногда мельком сказано и т.д.


Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor
MOS - классика aka МДП/МОП.


P.S. Неплохая куча беспорядочной информации получилась.

:) Правда косяк с терминами получился. Но я не специально. Чесслово.

Так мастера поправили эту неточность? Или похихикали, покидали цитат в цитадник и все?

Угу, теперь догадаюсь. До этого ну никак ко мне в голову такие догадки не приходили с такими буржуйскими названиями.

Что тождественно "никогда". Сурово.

Хм... И как оно обстоит там на самом деле?

По закрытию/открытию объяснение было для дедсада. Можно было бы вообще ничего не рассказывать человеку, а просто отослать к книжкам, как и сделал Bishop. Но по книжкам автор мало чего понял. Может поймет принцип, потом будет проще книжку осваивать.
И разве через закрытый транзистор протекает ток от стока к истоку? Чую надо освежить знания повторным прочтением литературы.

....

Кажется допер. Напряжение есть между стоком и истоком транзистора... Между двумя концами катушки его нет, при закрытом транзисторе и оно появляется при открытом. Или опять не так и это моя фантазия?