Ремонт модулей памяти DDR и SDR SDRAM

Ну это не проблема Разный объем/организация (а иногда - и тайминги) - и дуал-канал не заведется.

Есть несколько теоретических вопросов по организации памяти.

№1 Если количество логических банков в каждой микросхеме памяти равно 4 (то, что сам видел), то количество физических банков зависит от от общей разрядности всех микросхем памяти на модуле и один банк будет иметь разрядность 64bit. То есть планка памяти, состоящая из 4х м/с с организацией 16Mx16bit (128Mb) - это один физический банк (16bit x 4 = 64bit). Если я допаиваю еще 4 таких м/с на планку, получаю 256Mb на 2 физических банка. По краиней мере это у меня получилось на практике. При первом запуске с напаяными м/с получил 128Mb, но после правки в SPD параметра Number of DIMM Rank (SPDTool) с 2 на 3 (я так понимаю что это и есть количесво активных банков) завелись все 256Mb.
Далее - беру модуль 256Mb на 8 м/с с организацией 32Mx8bit (опять же один банк) и допаиваю на вторую сторону еще 8 таких же м/с. Получаю 2х банковый модуль на 512Mb (опять же после правки в SPD того же параметра). И этот бутерброд у меня нормально оттестился. Собственно вопрос: правильно ли я понял насчет организации памяти и зависимости количества физических банков от разрядности микросхем? Если нет, то, пожалуйста, скажите где, а главное почему я не прав.

№2 Имеется модуль 256Mb из 8ми м/с 32Mx8bit. Явно сдохла одна м/с - просажена линия CAS на землю. Может быть есть еще дохлые м/с, но вопрос в другом. Исходя из предыдушего вопроса, этот модуль не получится уполовинить отпаиванием половины м/с. В результате получится, что ширина всего 32bit и работать он не будет. Правильно?

№3 Можно ли набрать 2х сторонний модуль 512Mb из 16 м/с 16Mx16bit (хотя сейчас нет в наличии модулей с подходящей разводкой - она вроде разная для 16Mx16bit и для 32Mx8bit)? Это же получится 4 физических банка, если я правильно понимаю?

Просьба сильно не пинать. Давно пытаюсь понять как оно все устроено и работает, но чем дальше углубляюсь, тем сильнее запутываюсь

ЗЫ. Статьи ixbt читал и теперь еще внимательно перечитываю.

Upd

1) В организации чипа смотрим на ширину 16Mx16 bit. Из него можно узнать сколько реально rank'ов в модуле памяти есть. Делается действительно так, как Вы и посчитали:
кол-во микросхем * 'ширину' микросхемы / 64 (т.к. все банки на современных PC - 64бит).

а этого я не понял. Почему с 2 на 3? Или там формула типа n-1?
2) правильно, не получится
3) сомневаюсь, что без трудностей получится. Можно сделать модуль из 8 микросхем 16Mx16bit. Это материнские платы должны нормально скушать. Остальное не знаю. Возможно придется колдовать...

я тоже.

- разговор именно о микросхемах с организацией 16Mx16bit. То есть то, что получилось в итоге состоит из 8ми микросхем 16Mx16bit. И таких планок (сборных) в итоге я сделал штуки 4. Все нормально работают, материнки не жалуются. Просто раньше я делал их из 3х планок (2 комплекта по 4 м/с 16Mx16bit + SPD с планки 256Mb с такими же м/с), а сейчас правлю прошивку.
- сам не знаю, но скорее всего так и есть. "Тупо" сравнил прошивки с модуля 4 x 16Mx16bit (128Mb) и 8 x 16Mx16bit (256Mb).
- то же стал сомневаться. Насколько понял, обычные настольные системы не тянут 4х банковые модули.

Осталось понять для себя хотя бы на том же уровне работу памяти на видеокартах

Да, насчет 3-rank - загадка... Однако - похоже на то, что просто 0й банк (линия выбора банка CS0) не разведен, а пользуются CS1 и CS2 сигналы...

... и значит так устроены все остальные модули? надо будет в дальнейшем обратить на это внимание. В том числе на SDR и DDR2. Потому что те модули DDR, которые я ковырял/смотрел, имели такую же "непонятную" схему нумерации rank'ов.

А вообще, ИМХО, главное что работает

Не факт
Я бы для начала линии CSх отыскал бы - распиновку разъема найти не проблема.

- точно не количество логических банков микросхемы? Может, стоит просто посмотреть дамп шестнадцатеричным редактором, что там и где подправилось.

Документ "SPD's of DDR SDRAM" прикрепляю, на вид там количетсво банков задается обычным способом (стр. 7).

Вложение	Размер
4_01_02_04R13.PDF	227.13 КБ

Полезная дока А теперь нужно просто засесть и разбираться что к чему. Не обещаю результатов в скором времени.
ЗЫ. Сейчас посмотрел SPDTool'ом память на рабочем компе - Number of DIMM Rank = 1 (Kingston KHX8500D2K2/2G). Так что еще и на разных платформах нужно смотреть.

Только что посмотрел память на одной из рабочих машинок. WinFast K8S760MG с двумя планками DDR 512Mb и 256Mb (двухбанковые) - Number of DIMM Rank = 2 (SPDTool). Прошлые опыты проводились на Gigabyte i845 (название сейчас не скажу).

Еще немного информации для статистики:
1) глючная планка DDR Transcend 256Mb/333 (32x8). Платформа #1 (GA-8IG1000MK) - запускается только во II канале, интегрированное видео не работает, Memtest сваливается в перезагрузку, Knoppix виснет при старте (в одном и том же месте). Платформа #2 (GA-8I915ME) - запускается только с другой планкой в I канале. Memtest сплошняком валит ошибки после 256Mb (объем первой планки). Причем заметил, что определяется как 128Mb.
Безрезультатно ее пропаивал, отзванивал линии и мелочевку. Оказалось проще - глюк прошивки. Из явного: Fundamental memory type - Reserved (правильно DDR SDRAM) и Number of Row Adresses in this assemly - 228 (правильно 13). Пробежался по остальным параметрам - явного бреда не заметил. После правки нормально оттестилась в полном объеме.

[далее - платформа ECS 945PL-A под управлением AMIBIOS]
2)DDR2 Kingston 512Mb/667 - не определяется. Явный отвал первой/первых/нескольких первых микросхем - зажимаем микросхемы - стартует, отпускаем - не стартует. Пропаял первые 4 - нормально оттестилась.

3)DDR2 Transcend 1Gb/800 - либо запуск и вис в Memtest (на первом тесте), либо останов POST 39 или 45. После полной пропайки нормальная работа. [Number of DIMM Rank = 1, односторонняя]

4)DDR2 Samsung 2Gb/800 - запуск и вис в Memtest (на первом тесте). После полной пропайки нормальная работа. [Number of DIMM Rank = 2, двухсторонняя]

5)DDR2 Hunix 2Gb/800 - в одиночку - вис при старте, с рабочей планкой - запускается, но в Memtest ошибки после 1Gb (объем первой планки). Сразу не заметил расколотую первую микросхему, причем она еще и грелась чуть сильнее остальных. Неисправная выдрана, на ее место поставлена микросхема с другой стороны и поправлена прошивка (Number of DIMM Rank = 1) - нормальная работа. [изначально Number of DIMM Rank = 2, двухсторонняя]

6)DDR2 Hunix 1Gb/800 - останов POST 39 или 45. Стабильное нерабочее состояние сохранилось после: полного прогрева; отрезания одного банка; заливки прошивки с другого модуля той же организации с меньшей частотой; еще одного прогрева. Вся мелочевка целая. Осталось отзвонить линии (о результатах сообщу) и (возможно) аппаратно обрезать одну сторону выдиранием неисправнх мкросхем (если найдутся). [Number of DIMM Rank = 2, двухсторонняя]

UPD
Отзвонка линий - безуспешно.