Umnick,речь была об отвале от подложки кристала,обычный прогрев даст максимум,как много раз тут писали,не более месяца а то и меньше,(греется только кристал! узконаправленым потоком воздуха через переходники или воронки итп)надавливать пинцетом или чемнибудь после хорошего разогрева- все шары вылезут,ложить чтото сразу после прогрева тоже нет смысла,пока поднесете и прицелитесь,припой остынет,и это притом что то что закладывается сверху тоже должно быть разогретым,ровно также с такими гайками и прочими приспособлениями не поможет если под чипом на котором сверху кристал есть окислы итд,там хоть сколько не прижимай пятаки не будут должным образом припаиватся,или вы хотите сказать что отвала кристала не существует? или почему тогда вариант с поверхностным натяжением без прижиманий не дает долго срочного результата,при этом весь корпус чипа не греется,тоесть не плавает на шарах итд,это косвенно говорит о том что нету неконтакта на основной площадке
Umnick,речь была об отвале от подложки кристала,обычный прогрев даст максимум,как много раз тут писали,не более месяца а то и меньше,(греется только кристал! узконаправленым потоком воздуха через переходники или воронки итп)надавливать пинцетом или чемнибудь после хорошего разогрева- все шары вылезут,ложить чтото сразу после прогрева тоже нет смысла,пока поднесете и прицелитесь,припой остынет,и это притом что то что закладывается сверху тоже должно быть разогретым,ровно также с такими гайками и прочими приспособлениями не поможет если под чипом на котором сверху кристал есть окислы итд,там хоть сколько не прижимай пятаки не будут должным образом припаиватся,или вы хотите сказать что отвала кристала не существует? или почему тогда вариант с поверхностным натяжением без прижиманий не дает долго срочного результата,при этом весь корпус чипа не греется,тоесть не плавает на шарах итд,это косвенно говорит о том что нету неконтакта на основной площадке