Сорри, я слишком сильно обобщил. Да, есть EEPROM, есть UVEPROM.
Глянул исходники UniFlash - на 486-х флешку(!) он по идее прошьет. Но EEPROM/UVEPROM - совсем не флешка.
Изменю мнение вот так:
При условии обеспечения нужных управляющих сигналов и напряжений (12V Vpp) на микросхему и написании софта на базе UNIFLASH, на 486-х чипсетах, возможно, удастся прошить чистую EEPROM/UVEPROM. Но тут таки проще взять первопневую мать с поддержкой 12V - как минимум заведомо известно, что она умеет флешки шить (т.е. разводка достаточна и известна) и может 12V Vpp подать.
Стереть EEPROM - ну, примеру, стирание той же W27C512.
Erase mode is entered when OE/VPP is raised to VPE (14V), VCC = VCE (5V), A9 = VPE (14V), A0
low, and all other address pins low and data input pins high. Pulsing CE low starts the erase
operation.
Как это организовать на матери - я лично пас.
Сорри, я слишком сильно обобщил. Да, есть EEPROM, есть UVEPROM.
Глянул исходники UniFlash - на 486-х флешку(!) он по идее прошьет. Но EEPROM/UVEPROM - совсем не флешка.
Изменю мнение вот так:
При условии обеспечения нужных управляющих сигналов и напряжений (12V Vpp) на микросхему и написании софта на базе UNIFLASH, на 486-х чипсетах, возможно, удастся прошить чистую EEPROM/UVEPROM. Но тут таки проще взять первопневую мать с поддержкой 12V - как минимум заведомо известно, что она умеет флешки шить (т.е. разводка достаточна и известна) и может 12V Vpp подать.
Стереть EEPROM - ну, примеру, стирание той же W27C512.
Erase mode is entered when OE/VPP is raised to VPE (14V), VCC = VCE (5V), A9 = VPE (14V), A0
low, and all other address pins low and data input pins high. Pulsing CE low starts the erase
operation.
Как это организовать на матери - я лично пас.