Измерение сопротивлений следует производить только при обесточенных цепях. Этим обеспечивается правильность результатов измерений и исключается возможность повреждения прибора.
Измерение сопротивлений производится при помощи:
- встроенного сухого элемента 1,5 В на пределах X1, Х10, Х100;
- двух элементов по 1,5 В на пределе Х1000;
- внешнего источника постоянного напряжения 24—30 В на пределе X10000.
При помощи встроенных сухих элементов измерение производится следующим образом:
а) переключатель вид работ находится в положении «IUR», переключатель род тока установить в положение «—» (постоянный ток), дисковый переключатель — на требуемый предел измерения (положение переключателей: тип транзистора и цепь транзистора — безразлично);
б) замкнуть общие клеммы «—» и « + »;
в) отрегулировать стрелку при помощи ручки «Уст. 0» (резистор переменный R7) на нуль по шкале омметра;
г) разомкнуть клеммы «—» и « + », подключить к ним измеряемое сопротивление и произвести отсчет по шкале омметра. Показание стрелки по шкале омметра в омах необходимо умножить на множитель применяемого предела измерения.
При помощи внешнего источника постоянного напряжения измерение производится следующим образом:
а) установить предел измерения X10000 (остальные переключатели остаются в том же положении);
б) подключить к общим зажимам «—» и « + » источник постоянного напряжения 24—30 В;
в) отрегулировать стрелку при помощи ручки «Уст. 0» на нуль по шкале омметра;
г) отсоединить источник от зажима « + » и включить измеряемое сопротивление (рис. 2).
Рис. 2.
Показание стрелки по шкале омметра в омах необходимо умножить на X10000.
С целью удлинения срока службы элементов 332 не рекомендуется излишне долго держать свободные штепсельные концы проводов прибора подключенными к измеряемому сопротивлению или замкнутыми между собой накоротко.
6.3. Измерение параметров транзистора. Отсчет при измерении параметров транзисторов производится при установке переключателя вид работ в положение транзистор. 6.3.1. Измерение IКО. Обратный ток коллекторного перехода измеряется по схеме (рис. 3) с разомкнутой цепью эмиттера.
Рис. 3.
Установить следующее положение переключателей:
- тип транзистора — согласно типу проверяемого транзистора;
- цепь транзистора в положение «IК»;
- род тока — в положение «—»;
- дисковый — в положение «IКО».
Проверяемый транзистор устанавливается в соответствии с маркировкой клемм (Э, К, Б, Э) — коллектор к клемме «К», база к клемме «Б». Эмиттерный вывод не подключается. Стрелка измерительного прибора показывает IКО на пределе 100 мкА.
6.3.2. Измерение IЭО.
Обратный ток эмиттерного перехода измеряется по схеме (рис. 4) с разомкнутой цепью коллектора.
Рис. 4.
Положение переключателей то же, что и при измерении IКО. База транзистора подключается к клемме «Б», эмиттер к клемме «К». Коллекторный вывод не подключается. При этом стрелка измерительного прибора показывает значение IЭО на пределе 100 мкА.
6.3.3. Измерение IКН. Начальный ток коллектора измеряется в схеме с общим эмиттером при нулевом напряжении между эмиттером и базой (база соединена с эмиттером) (рис. 5).
Рис. 5.
Положение переключателей то же, что и при измерении IКО. База и эмиттер транзистора подключается к клемме «Б», коллектор — к клемме «К».
При этом стрелка измерительного прибора показывает значение IКН на пределе 100 мкА.
6.3.4. Определение статического коэффициента усиления. При определении статического коэффициента усиления «β» выводы транзистора подключаются к клеммам Э, К, Б или К, Б, Э (в зависимости от расположения выводов) (рис. 6). При измерении необходимо учесть проводимость транзистора (p-n-p или n-p-n). Статический коэффициент усиления В определяется по формуле: где IК1 — ток коллектора при токе базы IБ1; IК2 — ток коллектора при токе базы IБ2 Дисковый переключатель устанавливается в положение «Iб —Iк», переключатель цепь транзистора в положение «Iб ». положение остальных переключателей остается, как при измерении IКО. Измерение производить в следующем порядке: Задать такую величину тока базы, при которой удобно определить ток коллектора (около 50 мкА). Для измерения тока коллектора переключатель Iб —Iк следует установить в положение Iк. Величина тока коллектора определяется по верхней шкале показывающего прибора. При этом конечное значение шкалы соответствует 10 мА. Далее переключатель Iб—Iк снова переключают в положение Iб и увеличивают ток базы на 20÷40 мкА. При последующем переключении Iб— Iк в положение Iк снова определяется величина тока коллектора. Пример: При измерении получены следующие данные: IБ1 =50 мкА IК1 =2,6 мА IБ2 =80 мкА IК2 =4,4 мА Вычисляем: 1.Разницу токов ?Iб= IБ2 - IБ1 =80-50=30 (мкА) ?Iк= IК2 - IК1 =4,4-2,6=1,8 (мА) = 1800 (мкА) 2. Определяем коэффициент усиления
При всех измерениях параметров транзисторов отсчет производится по верхней шкале.
Рис. 6.
п.с. Если у кого завалялся "убитый" тестер ТЛ-4М, можете попробовать восстановить.
Прикрепленный файл | Размер |
---|---|
TL-4M.RAR | 109.94 кб |
Спасибо за схему! В отличие от китайской цифры хорошо работает на морозе.
спасибо за схему!
На пределе 1ом не получается установить 0, устанавливается где-то пол ома
Смотрим в прилагаемом архиве файл ТЛ-4М_TO.doc. Раздел 6.2. Измерение сопротивлений.
Измерение сопротивлений производится при помощи:
- встроенного сухого элемента 1,5 В на пределах X1, Х10, Х100;
ПЕРЕЧЕНЬ
элементов к схеме принципиальной электрической прибора ТЛ-4М
Обозначение позиции
Наименование и тип
Основные данные номинала
Количество
Примечание
1
2
3
4
5
R1
Резистор МЛТ-0,5-10 кОм ±10%
10 кОм ±10%
1
R2
Резистор СПО-0,5-100 кОм ±20%-ОС-3-20
100 кОм ±20%
1
RЗ
Резистор прополочный
40 Ом ±0,4
1
R4
Резистор МЛТ-0,5-1,5 кОм ±10%
2,95 кОм ±0,1%
2
Последовательно
R5
МЛТ-0,5-1 кОм ±5%
1 кОм ±5%
1
R6
Резистор проволочный
См. примечание
1
R7
СПО-0,5-4,7 кОм ±20%-ОС-3-20
4,7 кОм ±20%
1
R8
МЛТ-0,5-100 кОм ±10%
197 кОм ±1%
2
Последовательно
R9
МЛТ-0,5-9,1 кОм ±5%
18,2 кОм ±1%
2
Последовательно
R10
МЛТ-0,5-2,4 кОм ±5%
4,8 кОм ±1%
2
Последовательно
R11
МЛТ-0,5-470 Ом ±10%
964 Ом ±1%
2
Последовательно
R12
МЛТ-0,5-560 ОМ ±10%
1
Последовательно
МЛТ-0,5-510 Ом ±5%
1,08 кОм ±1%
1
R13
МЛТ-0,5-43 Ом ±5%
1
Последовательно
МЛТ-0,5-39 Ом ±10%
82 Ом ±1%
1
R14
МЛТ-0,5-51 Ом ±5%
1
Последовательно
МЛТ-0,5-56 Ом ±10%
108 Ом ±1%
1
R15
Резистор проволочный
6,9 Ом ±1%
1
R16
Резистор проволочный
12 Ом ±1%
1
R17
Резистор проволочный
0,3 Ом ±0,2%
1
R18
Резистор проволочный
2,7 Ом ±0,4%
1
R19
Резистор проволочный
27 Ом ±0,4%
1
R20
Резистор проволочный
270 Ом ±0,4%
1
R21
Резистор проволочный
600 Ом ±0,4%
1
R22
Резистор проволочный
2,1 кОм ±0.4%
1
R23
Резистор проволочный
4,92 кОм ±1%
1
R24
МЛТ-0,5-1,2 кОм ±10%
Последовательно
МЛТ-0,5-470 Ом ±10%
1,66 кОм ±1%
R25
МЛТ-0,5-3,6 МОм ±5%
7,2 МОм ±1%
2
Последовательно
R26
МЛТ-0,5-1 МОм ±10%
2 МОм ±1%
2
Последовательно
R27
МЛТ-0,5-360 кОм ±5%
700 кОм ±1%
2
Последовательно
R28
МЛТ-0,5-100 кОм±10%
200 кОм ±1%
2
Последовательно
R29
МЛТ-0,5-36 кОм ±5%
70 кОм ±1%
2
Последовательно
R30
МЛТ-0,5-10 кОм ±10%
20 кОм ±1%
2
Последовательно
R31
МЛТ-0,5-3,9 кОм ±10% \
1
МЛТ-0,5-5,1 кОм ±5%
9 кОм ±1%
1
Последовательно
R32
МЛТ-0,5-1,5 МОм ±10%
3,055 МОм ±1%
2
Последовательно
RЗЗ
МЛТ-0,5-430 кОм ±5%
860 кОм ±1%
2
Последовательно
R34
МЛТ-0,5-150 КОм ±10%
306 кОм ±1%
2
Последовательно
R35
МЛТ-0,5-51 кОм ±5%
87,15 кОм ±1%
1
МЛТ-0,5-36 кОм ±5%
1
Последовательно
R36
МЛТ-0,5-15 кОм ±10%
30,67 кОм ±1%
2
Последовательно
R37
МЛТ-0,5-3,6 кОм +5%
1
МЛТ-0,5-5,1 кОм ±5%
8,78 кОм ±1%
1
Последовательно
R38
МЛТ-0,5-1,2 кОм ±10%
2,4 кОм ±1%
2
Последовательно
R39
СПО-0.5-330 Ом +_20%-ОС-3-12
330 Ом ±20%
1
Д1
Диод полупроводниковый Д9В
1
Д2
Д9В
1
ДЗ
Д206
1
Д4
Д206
1
Е1
Сухой элемент 332 (R10)
1
Е2
Сухой элемент 332 (R10)
1
μА
Микроамперметр
100 мкА
1
ПРИМЕЧАНИЯ:
1. Резистор R6 подбирается таким образом, чтобы суммарное сопротивление резистора R6 и микроамперметра μА было 1000 Ом
±0,5%.
2. Взамен указанных элементов допускается применять другие типы элементов, не ухудшающие работоспособности прибора.