Семен Сатановский...для выполненных по CMOS технологии элементов можно считать, что ток пропорционален частоте переключений.
Я потому и написал
Цитата:
повышение потребляемой процессором мощности может возрасти,
но лишь благодаря увеличения потребления какими-то его блоками,
задействованними в тех или иных операциях
что, собственно, эквивалентно увеличению количества выполняемых
в еденицу времени операций, т.е. частоте переключений, т.е. открытию-закрытию транзисторов, т.е. нахождению их большее время в открытом состоянии, что и приводит в увеличению суммарно протекающего в еденицу времени заряда а.к.а. тока, но эта сумма есть
понятие интегральное, т.е. берется общий заряд протекший за какой-то
промежуток времени через систему и делится на величину этого промежука, получается среднее значение за еденицу времени.
Но на просадку напряжения влияет физическая величина сопротивления , например транзистора в открытом состоянии, и влияет
она на ток протекающий через этот транзистор пока тот открыт, это
величина мгновенного тока, т.е. дифференциальная dq/dt, где dq -
бесконечно малое изменение протекающего заряда (дифференциал,
т.е. изменение) за бесконечно малый момент времени dt (тоже дифференциал), таким образом. ток, в последнем случае - это
производная I=dq/dt, а в первом случае отношение интегралла заряда
на промежутке времени (конечном) к этому примежутку времени, и эта
величина говорит лишь об энергопотреблении системы, но не о падении напряжения (в частности) на ней.
К чему я все это сказал? Нельзя сравнивать вещи относящиеся к
принципиально различным явлениям, т.е. категориям (в философском
смысле), иначе мы получим софизм - утверждение верное с точки
зрения формальной логики (на первый взгляд), но неверное по сути
из-за попытки сравнивать несравниваемые явления #-o , во мне умер
великий теоретик
Я потому и написал
что, собственно, эквивалентно увеличению количества выполняемых
в еденицу времени операций, т.е. частоте переключений, т.е. открытию-закрытию транзисторов, т.е. нахождению их большее время в открытом состоянии, что и приводит в увеличению суммарно протекающего в еденицу времени заряда а.к.а. тока, но эта сумма есть
понятие интегральное, т.е. берется общий заряд протекший за какой-то
промежуток времени через систему и делится на величину этого промежука, получается среднее значение за еденицу времени.
Но на просадку напряжения влияет физическая величина сопротивления , например транзистора в открытом состоянии, и влияет
она на ток протекающий через этот транзистор пока тот открыт, это
величина мгновенного тока, т.е. дифференциальная dq/dt, где dq -
бесконечно малое изменение протекающего заряда (дифференциал,
т.е. изменение) за бесконечно малый момент времени dt (тоже дифференциал), таким образом. ток, в последнем случае - это
производная I=dq/dt, а в первом случае отношение интегралла заряда
на промежутке времени (конечном) к этому примежутку времени, и эта
величина говорит лишь об энергопотреблении системы, но не о падении напряжения (в частности) на ней.
К чему я все это сказал? Нельзя сравнивать вещи относящиеся к
принципиально различным явлениям, т.е. категориям (в философском
смысле), иначе мы получим софизм - утверждение верное с точки
зрения формальной логики (на первый взгляд), но неверное по сути
из-за попытки сравнивать несравниваемые явления #-o , во мне умер
великий теоретик