Мосфет в цепи питания видеопамяти.

Доброго времени. Подскажите по мосфетам.

Щёлкнул (сгорел) SM4370NSKP (маркировка на корпусе: sm4370, корпус: SO-8):
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 7.5 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 200 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0084 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6-8

В таком же корпусе есть SIR164DP (маркировка: R164):
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 69 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 41 ns
Выходная емкость (Cd): 740 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0032 Ohm
Тип корпуса: SO8

Максимальные напряжения и токи идентичны. Разница в сопротивлении, ёмкости, времени нарастания. Мёртвый транзистор стоит в цепи питания видеопамяти. Можно ли произвести замену?

Перенес в Песочницу.
maco