В используемом на плате контроллере w83301r делители обратной связи (слежение за выходным напряжением) находятся внутри микросхемы. Его надо "обмануть", добавив в цепи обратной связи по резистору. Лучше использовать многооборотные подстроечные резисторы на 180-200 ом. (2шт).
Для напряхения питания памяти Vddr это просто, ибо на плате уже есть "обман" - R1246 = 22 ома. Вместо него припаивается один из подстроечников.
В своем экземпляре платы, я заменил его на 150 ом, и получил 2,97в.
Правда, пришлось закоротить диоды D53 и D54 (на них падает около 0.4в), стоящие в параллель, чтобы поднять максимальное выходное напряжение стабилизатора.
Аналогично для Vtddr (терминация памяти). Это напряжение должно быть равно половине напряжения ее питания. Но резистора на плате не предусмотрено, поэтому придется резать дорожку обратной связи, идущую ко 2-му выводу микросхемы (STRsen2), и включать подстроечник в разрыв этой дорожки.
Резать надо аккуратно, чтобы не повредить расположеные рядом дорожки к затворам полевиков.
Перед впаиванием подстроечники выкрутить на минимальное сопротивление.
Далее, включаем (без памяти), и выставляем сначала питание памяти, а затем напряжение терминации.
Для измерений - цифровой мультиметр.
2habl
В используемом на плате контроллере w83301r делители обратной связи (слежение за выходным напряжением) находятся внутри микросхемы. Его надо "обмануть", добавив в цепи обратной связи по резистору. Лучше использовать многооборотные подстроечные резисторы на 180-200 ом. (2шт).
Для напряхения питания памяти Vddr это просто, ибо на плате уже есть "обман" - R1246 = 22 ома. Вместо него припаивается один из подстроечников.
В своем экземпляре платы, я заменил его на 150 ом, и получил 2,97в.
Правда, пришлось закоротить диоды D53 и D54 (на них падает около 0.4в), стоящие в параллель, чтобы поднять максимальное выходное напряжение стабилизатора.
Аналогично для Vtddr (терминация памяти). Это напряжение должно быть равно половине напряжения ее питания. Но резистора на плате не предусмотрено, поэтому придется резать дорожку обратной связи, идущую ко 2-му выводу микросхемы (STRsen2), и включать подстроечник в разрыв этой дорожки.
Резать надо аккуратно, чтобы не повредить расположеные рядом дорожки к затворам полевиков.
Перед впаиванием подстроечники выкрутить на минимальное сопротивление.
Далее, включаем (без памяти), и выставляем сначала питание памяти, а затем напряжение терминации.
Для измерений - цифровой мультиметр.
Удачи!