Господа, я думаю, наши с вами обсуждения нарушений

Господа, я думаю, наши с вами обсуждения нарушений в чипах, согласия с той или иной теорией, мягко говоря, практически малополезны.
Есть неоспоримый факт, подтвержденный огромным опытом, что нарушения происходят именно в чипах, и связаны они именно с контактом кристалла с внешними выводами. Но для более серьезных изысканий нужны соответствующие углубленные знания о процессах, протекающих в конструктивных элементах чипа, и материалах, из которых они созданы.
Например, мы вот обсуждаем окислы внутри чипа, но совершенно ничего не знаем о растворимости кислорода в материале компаунда и окружающего пластика, об адгезии компаунда к пластику и кристаллу (она бесспорно высока, но достаточна ли для герметизации), и пластика к материалу дорожек внутри подложки. Ничего не знаем о пористости этих материалов, и подверженности к образованию трещин. А между тем, если уж задаться целью, можно сделать хотя бы хим. анализ места пайки кристалла к подложке на количественное содержание оксидов основных металлов площадки и припоя, оценить и сравнить полученные данные для поврежденного чипа, и для нового.

Причин можно назвать много. Это и возможные нарушения пайки кристалла к подложке, и микротрещины в дорожках на подложке из-за несоответствия коэффициентов температурного расширения дорожек и пластика, и возможные отслоения проводящих покрытий на поверхности кристалла из-за высокой адгезии к ним компаунда, и, опять же, несоответствия коэффициентов расширения, и многое другое. Впомните те же Циррусы на Фуджиках, сколько всего было перетерто (вплоть до накопления влаги корпусом), но однозначного ответа до сих пор нет. Ясно одно: дефект в чипе, и это результат ошибок в технологии производства.

P.S. Потом перенесу в профильную тему.