Я знаю что напряжение терминации равняется половине VDD, и замеряется на первом выводе слота памяти, или я неправ?
Наполовину. На 1-ом контакте слота памяти - Vref, которое равно Vdd/2, но не является напряжением терминации памяти. Напряжение терминации памяти на слоте не измеряется, т.к. не поступает туда.
Напряжение терминации памяти можно измерить на стабилизаторе, который его формирует или на резисторных сборках возле слотов памяти, на которые оно подается.
tec писал(-а):
на этом транзисторе не 1.8, а 1.23v
Это хорошо.
tec писал(-а):
напряжение батарейки на 74 выводе равняется всего 2.1 v....как такое может быть?
А кто мешает измерить напряжение батарейки, вытащив ее из платы. А заодно можно прозвонить связь между контактом держателя батарейки и интересующим вас выводом.
Напряжение терминации памяти можно измерить на стабилизаторе, который его формирует или на резисторных сборках возле слотов памяти, на которые оно подается.